DDR1 SDRAM – pierwsza pamięć z rodziny DDR posiada interfejs synchroniczny, aktywny na obu krawędziach sygnału zegara. Interfejs DDR1 umożliwia transfer danych z szybkością do 3200 MB/s za pośrednictwem magistrali 64-bitowej.
DDR2 SDRAM – druga generacja pamięci DDR działa przy zmniejszonym napięciu zasilania i poborze mocy. Niższe napięcie pozwala na zwiększenie maksymalnej częstotliwości taktowania do 800 MHz, co prowadzi do szybkości transferu do 6400 MB/s (z interfejsem 64-bitowym).
DDR3 SDRAM – obecnie jest to najczęściej używany typ DRAM. Niższe zużycie energii i duża pojemność sprawiają, że nadaje się do szerokiej gamy zastosowań przemysłowych. Dzięki wykorzystaniu magistrali „fly-by” DDR3 może pracować z częstotliwością zegara do 1866 MHz.
DDR4 SDRAM – najpopularniejsza obecnie generacja pamięci w rodzinie DDR. Posiada interfejs POD12 (Pseudo Open Drain 1,2 V), CRC (Cyclic Redundancy Check) na magistrali danych, kontrolę parzystości na magistrali adresowej oraz funkcję DBI (Data Bus Inversion). Nowe funkcje interfejsu DDR4 umożliwiają częstotliwość taktowania pamięci powyżej 2400 MHz, dzięki czemu idealne rozwiązanie dla wysokowydajnych systemów przemysłowych.
DDR5 SDRAM – najnowsza generacja pamięci w rodzinie DDR o maksymalnej prędkości transferu 6400MHz. Dzięki obniżeniu napięcia z 1,2V do 1,1V udało się zmniejszyć pobór mocy w sumie aż o 15%. Kolejną istotną zmianą konstrukcyjną jest wbudowanie układu zarządzania energią (PMIC) na samym module. Ta modyfikacja umożliwia redukcję nadmiarowych obwodów zarządzania energią na płycie głównej i pozwala na lepszą alokację mocy, zwiększając integralność sygnału. Dodatkową technologią zastosowaną w modułach DDR5 jest ODECC (on-die error-correction code), która umożliwia korekcję niektórych błędów zwiększając tym samym niezawodność modułu. Wreszcie, nowy standard DDR5 wyposażony jest w dwa zestawy 32-bitowych kanałów (40-bitowych w przypadku modułów ECC) – to odróżnia je od modułów poprzedniej generacji. Takie rozwiązanie podwaja przepustowość, co zwiększa szybkość i efektywność dostępu do pamięci.
